• 基本參數(shù)
  • 額定電壓：斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM）和反向重復峰值電壓（VRRM）均為 4500V。
  • 額定電流：通態(tài)平均電流（IT (AV)）為 350A。
  • 浪涌電流：非重復峰值浪涌電流（ITSM）為 8000A（8.3ms）。
  • 通態(tài)壓降：典型值≤1.5V。
  • 結溫范圍：工作結溫范圍為 - 40°C 至 + 125°C。
• 功能特點
  • 高效散熱設計：模塊通常集成陶瓷基板和金屬散熱器，支持強制風冷或水冷，確保在高功率運行時的散熱效率，防止過熱損壞。

IGCT具有集成的柵極驅動器，可以很容易地卡入堆棧中的正確位置，并連接到其電源和光纖控制。精心設計的壓力接觸系統(tǒng)確保彈簧的釋放會在GCT上施加規(guī)定的壓力，從而建立所需的電接觸和熱接觸。通過這種方式可實現(xiàn)組裝簡易性和可靠性。

由于其在晶閘管模式下的導通操作，IGCT具有比可比IGBT器件更低的固有導通損耗。緩沖層可以與IGCT以及IGBT一起使用，它是導致這兩個器件具有可比較的開關損耗的公約數(shù)（忽略IGBT的較高導通損耗，其實現(xiàn)用于二極管恢復保護的柵極控制di/dt）。改進的損耗特性和無緩沖器操作允許開關頻率在500Hz至2kHz范圍內的具有成本效益的IGCT應用。